山东晶升
主营产品
氢氧化钾腐蚀炉
采用触摸屏+PLC控制方式，操作简单，工艺编辑和历史数据可以进行记录和导出，可以绘制温度实时曲线和历史曲线。
PVT-SIC-400晶体炉
采用高精度蝶阀和质量流量计控制炉内长晶压力，提供稳定的长晶气氛。尤其在晶体生长压力下最高可达到±1Pa的控压精度。
LPE氮化物高压晶体生长炉
Na助溶剂液相外延生长2-4 英寸GaN晶片，也可用于高压助熔剂法探索新型氮化物晶体。
结构紧凑，可采用并排布局，提高厂房利用率。
可兼容电阻或感应加热热场。
可配备多个加热器独力控制，工艺调试窗口大，便于同时控制轴向和径向温度梯度。
电阻晶体炉
立式HVPE
高生长速率、低缺陷密度。
横向纵向生长比率高、孔洞少，可以生长大面积厚膜。
籽晶粘接设备
设备可用于SiC,GaN和ALN生长前籽晶粘接，也可用于上述晶体机械加工中粘接。
公司简介
COMPANY PROFILE
山东晶升电子科技有限公司坐落于泉城济南，是一家专注于宽禁带半导体装备研发和生产的高新技术企业，2024年评为省级专精特新企业。研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺，已形成系列自主知识产权，实现先进技术自主可控。致力成为行业宽禁带半导体关键装备供应商，并在济南市长清区建设了宽禁带半导体装备制造场地。主要推广产品为第三代半导体，第四代半导体高端装备，包括用于氧化镓生长的卤化物气相外延（HVPE）设备、导模法晶体炉、氧化镓垂直布里奇曼晶体生长炉。
新闻资讯
News information
01.碳化硅外延外延工艺是整个产业中的一种非常关键的工艺，由于现在所有的器件基本上都是在外延上实现，所以外延的质量对器件的性能是影响是非常大的，但是外延的质量它又受到晶体和衬底。加工的影响，处在一个产业的中间环节，对产业的发展起到非常关键的作用。碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件...
2017-06-22
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。【什么是碳化硅?】碳化硅...
2017-06-22
首先我们先了解下**代和第三代半导体情况：1.**代半导bai体材料主要是指硅（Si）、锗du元素（Ge）半导体zhi材料。作为**代半导体材料的锗和硅，dao在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。2.第二代半...
2017-06-22
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