山东晶升电子科技有限公司

主营产品

氢氧化钾腐蚀炉
采用触摸屏+PLC控制方式,操作简单,工艺编辑和历史数据可以进行记录和导出,可以绘制温度实时曲线和历史曲线。

PVT-SIC-400晶体炉
采用高精度蝶阀和质量流量计控制炉内长晶压力,提供稳定的长晶气氛。尤其在晶体生长压力下最高可达到±1Pa的控压精度
LPE氮化物高压晶体生长炉

Na助溶剂液相外延生长2-4 英寸GaN晶片,也可用于高压助熔剂法探索新型氮化物晶体。

结构紧凑,可采用并排布局,提高厂房利用率。

可兼容电阻或感应加热热场。

可配备多个加热器独力控制,工艺调试窗口大,便于同时控制轴向和径向温度梯度。

电阻晶体炉
立式HVPE
高生长速率、低缺陷密度。

横向纵向生长比率高、孔洞少,可以生长大面积厚膜。

籽晶粘接设备
设备可用于SiC,GaNALN生长前籽晶粘接,也可用于上述晶体机械加工中粘接。

企业荣誉
公司简介
COMPANY PROFILE

山东晶升电子科技有限公司坐落于泉城济南,是一家专注于宽禁带半导体装备研发和生产的高新技术企业,2024年评为省级专精特新企业。研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺,已形成系列自主知识产权,实现先进技术自主可控。致力成为行业宽禁带半导体关键装备供应商,并在济南市长清区建设了宽禁带半导体装备制造场地。主要推广产品为第三代半导体,第四代半导体高端装备,包括用于氧化镓生长的卤化物气相外延(HVPE)设备、导模法晶体炉、氧化镓垂直布里奇曼晶体生长炉

新闻资讯
News information
01.碳化硅外延外延工艺是整个产业中的一种非常关键的工艺,由于现在所有的器件基本上都是在外延上实现,所以外延的质量对器件的性能是影响是非常大的,但是外延的质量它又受到晶体和衬底。加工的影响,处在一个产业的中间环节,对产业的发展起到非常关键的作用。碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同,不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件...
2017-06-22
第三代半导体材料之碳化硅(SiC)‍碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟,碳化硅功率器件行业未来可期。【什么是碳化硅?】碳化硅...
2017-06-22
首先我们先了解下**代和第三代半导体情况:1.**代半导bai体材料主要是指硅(Si)、锗du元素(Ge)半导体zhi材料。作为**代半导体材料的锗和硅,dao在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用,硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。2.第二代半...
2017-06-22
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