PVT-SiC-400晶体炉
1. 适用于6/8/12英寸，导电/高纯半绝缘型SiC晶体生长。
2. 拥有高精度的控温、控压能力、工艺性能优良、设备一致性好, 具有丰富的量产经验。
3. 可选恒功率、恒电流、恒温工作模式。
4. 采用高精度蝶阀和质量流量计控制炉内长晶压力，提供稳定的长晶气氛。尤其在晶体生长压力下最高可达到±1Pa的控压精度。
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氢氧化钾腐蚀炉
1. 双热偶控温，腐蚀液温度控制精度±1℃。
2. 升降部分采用伺服电机，定位精度高；旋转部分采用伺服电机，温度均匀性 更可靠。
3. 单次可腐蚀1-5片。
4. 采用触摸屏+PLC控制方式、操作简单、工艺编辑和历史数据可以进行记录和导出，可以绘制温度实时曲线和历史曲线。
双头籽晶粘接设备
籽晶粘接设备(柔性压头/硬压头)
产品用途：
设备可用于SiC、GaN和AlN生长前籽晶粘接、也可用于上述晶体机械加工中粘接。
产品特点：
1.粘贴的籽晶可在2300℃高温下保持不脱落。
2.100%粘接无气泡。
3.平整度高。
4.晶片表面整洁，无杂质吸附。
电阻法晶体生长炉
1. 满足6-8-12寸半绝缘/导电晶体生长需求。
2. 可兼容电阻或感应加热热场。
3. 可配备多个加热器独立控制，工艺调试窗口大，便于同时控制轴向和径向温度梯度。
4. 底部水冷坩埚轴带有中空测温孔，顶、底、侧均可配红外测温，便于温场监控和工艺调试。
液相法晶体生长炉
1.可兼容电阻或感应加热热场。
2.可配备多个加热器独立控制，工艺调试窗口大，便于同时控制轴向和径向温度梯度。
3.底部水冷坩埚轴带有中空测温孔，顶、底、侧均可配红外测温，便于温场监控和工艺调试。
4.可选恒功率、恒电流、恒温工作模式。
5.满足6-8-12寸半绝缘/导电晶体生长需求。
HVPE立式晶体生长炉
1. 横向纵向生长比率高、孔洞少，可以生长大面积厚膜。
2. 外延速率:≥20微米/小时。
3. 氧化镓异质外延厚度:＞10微米。
4. 外延片尺寸:2/4/6/8英寸。
HVPE卧式晶体生长炉
1. 高生长速率、低缺陷密度。
2. 横向纵向生长比率高、孔洞少，可以生长大面积厚膜。
3. 单晶生长速率:≥100微米/小时。
4. 产品尺寸:2/4/6/8英寸。
LPE氮化物晶体生长炉
1. Na助熔剂液相外延生长2-6英寸GaN晶片，也可用于高压助熔剂法探索新型氮化物晶体。
2. 双温区加热，最高使用温度1100℃，最高压力7Mpa。
3. 氮气溶解速度快、分布均匀、生长速度≥20微米/小时。
4. 可外延生长高结晶质量和低位错密度的单晶。
HVPE卤化物气相外延炉
4. 外延片尺寸:2/4/6/8英寸。
VB晶体生长炉
1. 温度范围:100-1830℃。
2. 进口发热体，工作温度精确度达±0.5℃。
3. 坩埚具有旋转功能，可根据需要设置旋转速度和方向。
4. 设备可用于2-4-6-8英寸单晶生长需求，可根据客户需求定制化所需 其他功能。
导模法晶体生长炉
1. 晶体生长炉，可实现EFG导模提拉法生长超宽禁带单晶半导体材料。采用高频加热方式，
通过特殊的热场结构设计，可实现EFG导模提拉法生长超宽禁带单晶半导体材料。
2. 设备可对应2-4-6-8英寸单晶材料的生长需求，同时可满足用户定制化的需求设计。
PVT晶体生长炉
2. 适用于长时间、高质量、规模型晶体生长。
3. 拥有高精度的控温、控压能力、工艺性能优良、设备一致性好, 具有丰富的量产经验。
4. 可选恒功率、恒电流、恒温工作模式。
LPE氮化物晶体生长炉
InP晶体生长炉
主要应用于 4/6 英寸磷化铟、磷化镓I-V 族化合物半导体晶体材料单晶生长工艺，自动控制系统。
坩埚下降提拉炉
1.二温区/三温区/五温区多种规格。
2.进口发热体，50-1200℃连续可调。
3.温度精度± 0.1℃。
4.坩埚旋转功能，具备梯度旋转功能。
5. 位移精度1μm。
晶体提拉炉
本公司生产的晶体提拉炉可以用于提拉法拉制各种高品质氧化物固体单晶材料（如铌酸锂、二氧化碲、YAG，蓝宝石，YSO，LYSO等）。
产品规格：50型，60型，80型，100型，120型。
