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01.碳化硅外延外延工艺是整个产业中的一种非常关键的工艺，由于现在所有的器件基本上都是在外延上实现，所以外延的质量对器件的性能是影响是非常大的，但是外延的质量它又受到晶体和衬底。加工的影响，处在一个产业的中间环节，对产业的发展起到非常关键的作用。碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件...
2017-06-22
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。【什么是碳化硅?】碳化硅...
2017-06-22
首先我们先了解下**代和第三代半导体情况：1.**代半导bai体材料主要是指硅（Si）、锗du元素（Ge）半导体zhi材料。作为**代半导体材料的锗和硅，dao在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。2.第二代半...
2017-06-22
宽禁带半导体材料Ga2O3由于其优异的物理性能和良好的稳定性，在半导体功率器件、光电器件等领域展现出具大的应用潜力。生长大尺寸、高质量的Ga2O3外延膜是实现高性能器件量产的前提。卤化物气相外延（HVPE）法由于其高速率、大面积、稳定成膜的特点，成为最具优势的Ga2O3外延工艺方法之一。然而，目前国内对于HVPE法制备Ga2O3外延膜的工艺研究相对较少，与日本等国家相比存在一定差距。图1 4...
2024-07-19
一、什么是氮化镓激光剥离技术？ 氮化镓是一种具备显著宽禁带特性的半导体材料，在微波功率晶体管及蓝色发光器件领域展现出非凡的应用潜力。鉴于自然界中氮化镓化合物的稀缺性，科研与生产实践中普遍采用异质外延技术来培育GaN晶体。这一过程中，如何高效且无损地将GaN晶体从其生长衬底（如蓝宝石）上分离出来，成为了一个关键技术问题。 以蓝宝石为基底生长氮化镓为例，激光剥离技术的核心机制在于...
2024-08-27
koh腐蚀炉：应用氢氧化钾（KOH）必须做好安全防范koh刻蚀硅，KOH是微结构试验室比较常见的刻蚀液之一，如单晶硅电池表面磨砂皮话解决、单晶硅片表面V型槽刻蚀、金字塔式或是倒金字塔结构刻蚀等运用。预防措施硅的刻蚀速度在不同温度与刻蚀液浓度值下刻蚀速度是不一样的。根据FAS标准和...
2022-10-05
首先我们先了解下**代和第三代半导体情况：1.**代半导bai体材料主要是指硅（Si）、锗du元素（Ge）半导体zhi材料。作为**代半导体材料的锗和硅，dao在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。2.第二代半...
2021-12-29
加州空气资源委员会通过了一项规定，要求卡车和发动机制造商从2027年开始将新型重型卡车的氮氧化物（NOx）排放减少90%。重型卡车排放的氮氧化物是空气污染的主要来源之一，会产生烟雾，威胁呼吸道健康。这一规定要求加州实现十多年来较大的空气污染削减。制造商如何才能有效且经济地实现这一雄心勃勃的目标？丹尼尔·科恩（Daniel Cohn）是麻省理工学院能源计划的研究科学家，莱斯利·布朗伯格（Les...
2021-09-28
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。【什么是碳化硅?】碳化硅...
2021-09-27
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