山东晶升
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01.碳化硅外延外延工艺是整个产业中的一种非常关键的工艺，由于现在所有的器件基本上都是在外延上实现，所以外延的质量对器件的性能是影响是非常大的，但是外延的质量它又受到晶体和衬底。加工的影响，处在一个产业的中间环节，对产业的发展起到非常关键的作用。碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件...
2017-06-22
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。【什么是碳化硅?】碳化硅...
2017-06-22
首先我们先了解下**代和第三代半导体情况：1.**代半导bai体材料主要是指硅（Si）、锗du元素（Ge）半导体zhi材料。作为**代半导体材料的锗和硅，dao在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。2.第二代半...
2017-06-22
SiC产品：PVT-SiC-400晶体炉、籽晶粘接设备、液相法晶体生长炉、晶体退火炉、氢氧化钾腐蚀炉。
GaN产品：HVPE卧式晶体生长炉、HVPE立式晶体生长炉。
Ga2O3产品：导模法晶体生长炉、VB晶体生长炉。
AIN产品：PVT晶体生长炉、LPE氮化物晶体生长炉。
其他产品：MistCVD、KOH腐蚀炉、坩埚下降提拉炉。
GaN产品：HVPE卧式晶体生长炉、HVPE立式晶体生长炉。
Ga2O3产品：导模法晶体生长炉、VB晶体生长炉。
AIN产品：PVT晶体生长炉、LPE氮化物晶体生长炉。
其他产品：MistCVD、KOH腐蚀炉、坩埚下降提拉炉。
山东晶升电子科技有限公司坐落于泉城济南，是一家专注于宽禁带半导体装备研发和生产的高新技术企业。公司主要产品为第三代、第四代半导体高端装备以及各种晶体生长装备。
截至目前，公司已通过通过ISO 9001质量管理体系认证，荣获***高新技术企业、山东省专精特新企业、山东省瞪羚企业称号，拥有多项自主知识产权，成为行业内关键装备供应商的核心代表。
截至目前，公司已通过通过ISO 9001质量管理体系认证，荣获***高新技术企业、山东省专精特新企业、山东省瞪羚企业称号，拥有多项自主知识产权，成为行业内关键装备供应商的核心代表。
近年来，第三代、第四代半导体材料在功率器件、射频器件等领域的应用持续爆发，而核心外延设备的自主可控，是产业突破的关键一环。作为国家高新技术企业，山东晶升电子科技有限公司凭借深厚。01 设备核心：多元材料，全尺寸覆盖衬底适配性强：支持蓝宝石、碳化硅等多种衬底，可实现Ga2O3薄膜、GaN薄膜/厚膜及晶体、AlN等多元材料的外延生长，满足不同场景的工艺需求。多规格灵活切换：提供2-4英寸...
在第三代半导体产业从实验室走向量产的过程中，中试阶段的设备性能直接决定了技术转化的效率。山东晶升电子科技有限公司作为国家高新技术企业，自主研发推出6英寸HVPE气相外延沉积设备，精准适配中试与规模化量产需求，为产业升级提供核心装备支撑。01核心能力：多元兼容，灵活适配l 多元材料生长：支持在蓝宝石、碳化硅等衬底上外延生长Ga₂O₃薄膜、GaN薄膜/厚膜及晶体、AlN等材料，覆盖功率器...
近日，山东晶升电子科技有限公司再传技术突破捷报！完全自主研发生产的6英寸VB晶体生长炉（非铱技术） 完成全流程调试，成功交付国内重点高校开展技术验证。此次交付是晶升电子在氧化镓晶体生长设备领域的又一自主创新成果，更是公司深化产学研协同、助力高校前沿材料研发的重要实践。核心技术，解锁氧化镓生长新路径 本次交付的6英寸VB晶体生长炉，依托晶升电子自主研发的非铱核心技术，以坩埚下降...
近日，山东晶升电子科技有限公司再迎产业新突破！自主研发的8英寸提拉法/导模法晶体生长炉完成全流程严苛检测与调试，已顺利交付国内头部衬底企业。此次交付不仅是市场对晶升电子技术实力与产品品质的高度认可，更是公司以硬核设备赋能国内氧化镓、宽禁带半导体材料产业升级的重要实践。 作为晶升电子的新一代核心产品，本次交付的8英寸提拉法晶体生长炉集结多项自主创新技术，专为高端晶体生长打造，全方...
当第三代半导体成为科技突围的核心赛道，当第四代氧化镓技术开辟全新可能，山东晶升电子——这家扎根泉城济南的***高新技术企业，正以自主可控的硬核实力，定义宽禁带半导体装备的中国标准 。从PVT晶体生长炉到HVPE气相外延炉，我们的产品覆盖6-12英寸全尺寸半导体材料制备，广泛应用于新能源、集成电路、LED芯片等关键领域，更凭借±1Pa级控压精度等核心技术，亮相APCSCRM 2025国际会议，...
11月25 - 27日，山东晶升电子科技有限公司荣耀亮相第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）。此次盛会以“芯联新世界，智启源未来（Wide Bandgap, Wider Future）”为主题，在河南郑州盛大召开，汇聚了全球宽禁带半导体产业链上下游的领军企业、专家学者以及投资机构代表 ，共同探讨行业前沿技术与发展趋势。 山东晶升电子作为一家坐落于泉城济南，专注于...
今日，山东晶升电子科技有限公司扩建新厂房正式投入运营，现场鞭炮齐鸣、掌声阵阵，全体员工共同见证这一重要时刻，用热烈的氛围庆祝公司发展史上的又一里程碑。 作为深耕第三代、第四代半导体高端装备领域的企业，山东晶升始终以创新驱动发展，凭借过硬的技术实力与优质的产品服务，在行业内稳步前行。随着业务版图的持续拓展，原有生产规模已难以满足市场需求与公司发展规划，扩建厂房的筹备与建设便成为推动企业进...
筑基拓新，共话氧化镓产业新未来山东晶升电子参展第五届海峡两岸交流会议圆满落幕2025年10月12日，为期三天的第五届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会在东莞松山湖圆满收官。作为宽禁带半导体装备领域的***高新技术企业，山东晶升电子科技有限公司携核心装备与技术成果亮相展会，与两岸专家学者、行业同仁共探氧化镓产业化路径，彰显自主创新硬实力。第五届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会合照一、...
一、什么是氮化镓激光剥离技术？ 氮化镓是一种具备显著宽禁带特性的半导体材料，在微波功率晶体管及蓝色发光器件领域展现出非凡的应用潜力。鉴于自然界中氮化镓化合物的稀缺性，科研与生产实践中普遍采用异质外延技术来培育GaN晶体。这一过程中，如何高效且无损地将GaN晶体从其生长衬底（如蓝宝石）上分离出来，成为了一个关键技术问题。 以蓝宝石为基底生长氮化镓为例，激光剥离技术的核心机制在于...
宽禁带半导体材料Ga2O3由于其优异的物理性能和良好的稳定性，在半导体功率器件、光电器件等领域展现出具大的应用潜力。生长大尺寸、高质量的Ga2O3外延膜是实现高性能器件量产的前提。卤化物气相外延（HVPE）法由于其高速率、大面积、稳定成膜的特点，成为最具优势的Ga2O3外延工艺方法之一。然而，目前国内对于HVPE法制备Ga2O3外延膜的工艺研究相对较少，与日本等国家相比存在一定差距。图1 4...
koh腐蚀炉：应用氢氧化钾（KOH）必须做好安全防范koh刻蚀硅，KOH是微结构试验室比较常见的刻蚀液之一，如单晶硅电池表面磨砂皮话解决、单晶硅片表面V型槽刻蚀、金字塔式或是倒金字塔结构刻蚀等运用。预防措施硅的刻蚀速度在不同温度与刻蚀液浓度值下刻蚀速度是不一样的。根据FAS标准和...
首先我们先了解下**代和第三代半导体情况：1.**代半导bai体材料主要是指硅（Si）、锗du元素（Ge）半导体zhi材料。作为**代半导体材料的锗和硅，dao在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。2.第二代半...
加州空气资源委员会通过了一项规定，要求卡车和发动机制造商从2027年开始将新型重型卡车的氮氧化物（NOx）排放减少90%。重型卡车排放的氮氧化物是空气污染的主要来源之一，会产生烟雾，威胁呼吸道健康。这一规定要求加州实现十多年来较大的空气污染削减。制造商如何才能有效且经济地实现这一雄心勃勃的目标？丹尼尔·科恩（Daniel Cohn）是麻省理工学院能源计划的研究科学家，莱斯利·布朗伯格（Les...
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。【什么是碳化硅?】碳化硅...
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