山东晶升
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01.碳化硅外延外延工艺是整个产业中的一种非常关键的工艺，由于现在所有的器件基本上都是在外延上实现，所以外延的质量对器件的性能是影响是非常大的，但是外延的质量它又受到晶体和衬底。加工的影响，处在一个产业的中间环节，对产业的发展起到非常关键的作用。碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件...
2017-06-22
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。【什么是碳化硅?】碳化硅...
2017-06-22
首先我们先了解下**代和第三代半导体情况：1.**代半导bai体材料主要是指硅（Si）、锗du元素（Ge）半导体zhi材料。作为**代半导体材料的锗和硅，dao在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。2.第二代半...
2017-06-22
筑基拓新，共话氧化镓产业新未来山东晶升电子参展第五届海峡两岸交流会议圆满落幕2025年10月12日，为期三天的第五届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会在东莞松山湖圆满收官。作为宽禁带半导体装备领域的***高新技术企业，山东晶升电子科技有限公司携核心装备与技术成果亮相展会，与两岸专家学者、行业同仁共探氧化镓产业化路径，彰显自主创新硬实力。第五届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会合照一、...
一、什么是氮化镓激光剥离技术？ 氮化镓是一种具备显著宽禁带特性的半导体材料，在微波功率晶体管及蓝色发光器件领域展现出非凡的应用潜力。鉴于自然界中氮化镓化合物的稀缺性，科研与生产实践中普遍采用异质外延技术来培育GaN晶体。这一过程中，如何高效且无损地将GaN晶体从其生长衬底（如蓝宝石）上分离出来，成为了一个关键技术问题。 以蓝宝石为基底生长氮化镓为例，激光剥离技术的核心机制在于...
宽禁带半导体材料Ga2O3由于其优异的物理性能和良好的稳定性，在半导体功率器件、光电器件等领域展现出具大的应用潜力。生长大尺寸、高质量的Ga2O3外延膜是实现高性能器件量产的前提。卤化物气相外延（HVPE）法由于其高速率、大面积、稳定成膜的特点，成为最具优势的Ga2O3外延工艺方法之一。然而，目前国内对于HVPE法制备Ga2O3外延膜的工艺研究相对较少，与日本等国家相比存在一定差距。图1 4...
首先我们先了解下**代和第三代半导体情况：1.**代半导bai体材料主要是指硅（Si）、锗du元素（Ge）半导体zhi材料。作为**代半导体材料的锗和硅，dao在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。2.第二代半...
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