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晶升资料库
HVPE卤化物气相外延炉
产品参数
简介: 1.高生长速率、低缺陷密度。 2.横向纵向生长比率高、孔洞少,可以生长大面积厚膜。 3.外延速率:≥200微米/小时。 4.氧化镓同质外延厚度:>20微米。 5.外延片尺寸:2/4/6英寸。
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产品详情