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晶升资料库
导模法晶体生长炉
产品参数
简介: 1.温度范围:100-1850℃。 2.进口发热体,工作温度精确度达±0.5℃。 3.坩埚具有旋转功能,可根据需要设置旋转速度和方向。 4.设备可用于2-4英寸单晶生长需求,可根据客户需求定制化所需其它功能。 5.氮化镓高压助熔剂晶体生长设备:
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氮化铝晶体炉
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HVPE卤化物气相外延炉
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