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HVPE卧式晶体生长炉
产品参数
简介: 1. 高生长速率、低缺陷密度。 2. 横向纵向生长比率高、孔洞少,可以生长大面积厚膜。 3. 单晶生长速率:≥100微米/小时。 4. 产品尺寸:2/4/6/8英寸。
上一个:
LPE氮化物晶体生长炉
下一个:
液相法晶体生长炉
产品详情
1. 高生长速率、低缺陷密度。
2. 横向纵向生长比率高、孔洞少,可以生长大面积厚膜。
3. 单晶生长速率:≥100微米/小时。
4. 产品尺寸:2/4/6/8英寸。
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