简介: 1.Na助溶剂液相外延生长2-4-6英寸GaN晶片，也可用于高压助熔剂法探索新型氮化物晶体。   2.助熔剂法（Na FLUX METHOD）生长氮化镓（GaN）单晶具有诸多优势是目前国际上公认的可实现高质量、大尺寸氮化镓体单晶产业化生产的生长技术之一。   3.双温区加热，最高使用温度1100°C，最高压力7 Mpa。   4.氮气溶解速度快，分布均匀，生长速度可达20 微米/小时。   5.可外延生长高结晶质量和低位错密度的单晶。